Dual N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 6-Pin SOT-363 onsemi NTJD5121NG
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-363
Montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
266 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.35mm
Number of Elements per Chip
2
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Inaltime
1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,04
Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 0,048
Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 0,04
Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 0,048
Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-363
Montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
266 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.35mm
Number of Elements per Chip
2
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Inaltime
1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse