Dual P-Channel MOSFET, 880 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 onsemi NTJD4152PG
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
880 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-363
Montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
2
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.2 nC @ 4.5 V
Latime
1.35mm
Transistor Material
Si
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1mm
Detalii produs
Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,41
Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 0,488
Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
25
€ 0,41
Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 0,488
Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
25
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 25 - 50 | € 0,41 | € 10,25 |
| 75 - 125 | € 0,27 | € 6,75 |
| 150 - 275 | € 0,17 | € 4,25 |
| 300 - 575 | € 0,16 | € 4,00 |
| 600+ | € 0,15 | € 3,75 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
880 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-363
Montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
2
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.2 nC @ 4.5 V
Latime
1.35mm
Transistor Material
Si
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1mm
Detalii produs
Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse