Dual N-Channel MOSFET, 3.9 A, 30 V, 8-Pin ChipFET ON Semiconductor NTHD4502NT1G

Nr. stoc RS: 780-0598PProducator: onsemiCod de producator: NTHD4502NT1G
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.9 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

ChipFET

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

140 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

2.1 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

2

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

3.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3.6 nC @ 10 V

Latime

1.7mm

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.1mm

Detalii produs

Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

Dual N-Channel MOSFET, 3.9 A, 30 V, 8-Pin ChipFET ON Semiconductor NTHD4502NT1G
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

Dual N-Channel MOSFET, 3.9 A, 30 V, 8-Pin ChipFET ON Semiconductor NTHD4502NT1G

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.9 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

ChipFET

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

140 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

2.1 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

2

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

3.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3.6 nC @ 10 V

Latime

1.7mm

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.1mm

Detalii produs

Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe