Dual P-Channel MOSFET, 4.1 A, 20 V, 8-Pin ChipFET onsemi NTHD4102PT1G
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
ChipFET
Montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
170 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
2
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.6 nC @ 4.5 V
Latime
1.7mm
Transistor Material
Si
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1.1mm
Detalii produs
Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,83
Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)
€ 0,988
Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)
25
€ 0,83
Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)
€ 0,988
Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)
25
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Banda |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 0,83 | € 20,75 |
| 50 - 100 | € 0,60 | € 15,00 |
| 125+ | € 0,45 | € 11,25 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
ChipFET
Montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
170 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
2
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.6 nC @ 4.5 V
Latime
1.7mm
Transistor Material
Si
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1.1mm
Detalii produs
Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse