onsemi P-Channel MOSFET, 8.4 A, 20 V, 3-Pin SOT-223 NTF6P02T3G

Nr. stoc RS: 808-4138PProducator: onsemiCod de producator: NTF6P02T3G
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

8.4 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOT-223

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

70 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

8.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Latime

3.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1.65mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 118,00

€ 0,59 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 142,78

€ 0,714 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

onsemi P-Channel MOSFET, 8.4 A, 20 V, 3-Pin SOT-223 NTF6P02T3G
Selectati tipul de ambalaj

€ 118,00

€ 0,59 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 142,78

€ 0,714 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

onsemi P-Channel MOSFET, 8.4 A, 20 V, 3-Pin SOT-223 NTF6P02T3G

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Rola
200 - 480€ 0,59€ 11,80
500+€ 0,50€ 10,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

8.4 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOT-223

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

70 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

8.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Latime

3.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1.65mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe