N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 3-Pin DPAK onsemi NTD5867NLTG
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
50 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
36 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Inaltime
2.38mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
Czech Republic
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,45
Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 0,536
Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
€ 0,45
Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 0,536
Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
50 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
36 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Inaltime
2.38mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
Czech Republic
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse