N-Channel MOSFET, 24 A, 60 V, 3-Pin DPAK onsemi NTD24N06LT4G
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
24 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
45 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
62.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 5 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
6.73mm
Latime
6.22mm
Transistor Material
Si
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
2.38mm
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 1,60
Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 1,904
Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
2
€ 1,60
Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 1,904
Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
2
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 1,60 | € 3,20 |
| 20 - 38 | € 1,47 | € 2,94 |
| 40 - 98 | € 1,35 | € 2,70 |
| 100 - 198 | € 1,31 | € 2,62 |
| 200+ | € 1,25 | € 2,50 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
24 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
45 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
62.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 5 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
6.73mm
Latime
6.22mm
Transistor Material
Si
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
2.38mm
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse