N-Channel MOSFET, 150 mA, 30 V, 3-Pin SC-75 ON Semiconductor NTA7002NT1G
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SC-75
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Latime
0.9mm
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
1.65mm
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
0.8mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET with Schottky Diode, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,17
Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)
€ 0,202
Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)
50
€ 0,17
Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)
€ 0,202
Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)
50
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,17 | € 8,50 |
| 500 - 1200 | € 0,15 | € 7,50 |
| 1250 - 2450 | € 0,14 | € 7,00 |
| 2500 - 4950 | € 0,13 | € 6,50 |
| 5000+ | € 0,12 | € 6,00 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SC-75
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Latime
0.9mm
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
1.65mm
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
0.8mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET with Schottky Diode, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse