P-Channel MOSFET, 760 mA, 20 V, 3-Pin SC-75 onsemi NTA4151PG
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
760 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SC-75
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Latime
0.9mm
Transistor Material
Si
Lungime
1.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.1 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
0.8mm
Detalii produs
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,32
Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 0,381
Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
50
€ 0,32
Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 0,381
Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
50
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 50 - 550 | € 0,32 | € 16,00 |
| 600 - 1450 | € 0,15 | € 7,50 |
| 1500+ | € 0,13 | € 6,50 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
760 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SC-75
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Latime
0.9mm
Transistor Material
Si
Lungime
1.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.1 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
0.8mm
Detalii produs
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse