onsemi NJVMJD122T4G NPN Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:100, 3-Pin DPAK
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
8 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Collector Cut-off Current
10µA
Maximum Power Dissipation
20 W
Lungime
6.73mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-65 °C
Dimensiuni
6.73 x 6.22 x 2.38mm
Latime
6.22mm
Inaltime
2.38mm
Detalii produs
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 8,10
€ 0,81 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 9,80
€ 0,98 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 8,10
€ 0,81 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 9,80
€ 0,98 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,81 | € 8,10 |
| 100 - 240 | € 0,69 | € 6,90 |
| 250 - 490 | € 0,59 | € 5,90 |
| 500 - 990 | € 0,51 | € 5,10 |
| 1000+ | € 0,46 | € 4,60 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
8 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Collector Cut-off Current
10µA
Maximum Power Dissipation
20 W
Lungime
6.73mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-65 °C
Dimensiuni
6.73 x 6.22 x 2.38mm
Latime
6.22mm
Inaltime
2.38mm
Detalii produs
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse