onsemi NJD35N04T4G NPN Darlington Transistor, 4 A 350 V HFE:2000, 3-Pin DPAK
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
4 A
Maximum Collector Emitter Voltage
350 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Collector Base Voltage
700 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Cut-off Current
250mA
Inaltime
2.38mm
Latime
7.49mm
Dimensiuni
6.73 x 7.49 x 2.38mm
Maximum Power Dissipation
45 W
Frecventa minima de auto-rezonanta
-65 °C
Lungime
6.73mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Detalii produs
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 11,50
€ 0,46 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 13,92
€ 0,557 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
25
€ 11,50
€ 0,46 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 13,92
€ 0,557 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
25
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
4 A
Maximum Collector Emitter Voltage
350 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Collector Base Voltage
700 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Cut-off Current
250mA
Inaltime
2.38mm
Latime
7.49mm
Dimensiuni
6.73 x 7.49 x 2.38mm
Maximum Power Dissipation
45 W
Frecventa minima de auto-rezonanta
-65 °C
Lungime
6.73mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Detalii produs
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse