ON Semiconductor NGTB35N65FL2WG IGBT, 70 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiMaximum Continuous Collector Current
70 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
300 W
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Switching Speed
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 4,33
Each (In a Tube of 30) (fara TVA)
€ 5,153
Each (In a Tube of 30) (cu TVA)
30
€ 4,33
Each (In a Tube of 30) (fara TVA)
€ 5,153
Each (In a Tube of 30) (cu TVA)
30
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 30 - 90 | € 4,33 | € 129,90 |
| 120 - 240 | € 3,32 | € 99,60 |
| 270 - 480 | € 3,12 | € 93,60 |
| 510 - 990 | € 2,92 | € 87,60 |
| 1020+ | € 2,56 | € 76,80 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiMaximum Continuous Collector Current
70 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
300 W
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Switching Speed
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse