N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP onsemi NDF10N60ZG

Nr. stoc RS: 124-5385Producator: onsemiCod de producator: NDF10N60ZG
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Tip pachet

TO-220FP

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

750 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Maximum Power Dissipation

39 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Latime

4.9mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Lungime

10.63mm

Typical Gate Charge @ Vgs

47 nC @ 10 V

Inaltime

16.12mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Tara de origine

Korea, Republic Of

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP onsemi NDF10N60ZG

50

Disponibil in multiplu de 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP onsemi NDF10N60ZG
Informatii indisponibile despre stoc

50

Disponibil in multiplu de 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Tip pachet

TO-220FP

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

750 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Maximum Power Dissipation

39 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Latime

4.9mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Lungime

10.63mm

Typical Gate Charge @ Vgs

47 nC @ 10 V

Inaltime

16.12mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Tara de origine

Korea, Republic Of

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe