onsemi MMBFJ175LT1G P-Channel JFET, 15 V, Idss -7 to -60mA, 3-Pin SOT-23
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
P
Idss Drain-Source Cut-off Current
-7 to -60mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
125 Ω
Timp montare
Surface Mount
Tip pachet
SOT-23
Numar pini
3
Drain Gate On-Capacitance
11pF
Source Gate On-Capacitance
11pF
Dimensiuni
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3.04mm
Inaltime
1.01mm
Latime
1.4mm
Detalii produs
P-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 6,75
€ 0,27 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 8,17
€ 0,327 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
€ 6,75
€ 0,27 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 8,17
€ 0,327 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
25
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 0,27 | € 6,75 |
| 100 - 225 | € 0,15 | € 3,75 |
| 250 - 475 | € 0,14 | € 3,50 |
| 500 - 975 | € 0,13 | € 3,25 |
| 1000+ | € 0,11 | € 2,75 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
P
Idss Drain-Source Cut-off Current
-7 to -60mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
125 Ω
Timp montare
Surface Mount
Tip pachet
SOT-23
Numar pini
3
Drain Gate On-Capacitance
11pF
Source Gate On-Capacitance
11pF
Dimensiuni
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3.04mm
Inaltime
1.01mm
Latime
1.4mm
Detalii produs
P-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse