onsemi MMBFJ112 N-Channel JFET, Idss min. 5mA, 3-Pin SOT-23
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 5mA
Maximum Gate Source Voltage
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
50 Ω
Montare
Surface Mount
Tip pachet
SOT-23
Numar pini
3
Drain Gate On-Capacitance
28pF
Source Gate On-Capacitance
28pF
Dimensiuni
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.92mm
Inaltime
0.93mm
Latime
1.3mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,31
Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 0,369
Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
25
€ 0,31
Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 0,369
Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
25
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 25 - 225 | € 0,31 | € 7,75 |
| 250 - 725 | € 0,14 | € 3,50 |
| 750 - 1475 | € 0,12 | € 3,00 |
| 1500 - 2975 | € 0,10 | € 2,50 |
| 3000+ | € 0,09 | € 2,25 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 5mA
Maximum Gate Source Voltage
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
50 Ω
Montare
Surface Mount
Tip pachet
SOT-23
Numar pini
3
Drain Gate On-Capacitance
28pF
Source Gate On-Capacitance
28pF
Dimensiuni
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.92mm
Inaltime
0.93mm
Latime
1.3mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse