onsemi MMBFJ111 N-Channel JFET, 15 V, Idss 20mA, 3-Pin SOT-23
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
20mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Gate Source Voltage
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
30 Ω
Timp montare
Surface Mount
Tip pachet
SOT-23
Numar pini
3
Drain Gate On-Capacitance
28pF
Source Gate On-Capacitance
28pF
Dimensiuni
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Inaltime
1.04mm
Latime
1.3mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.9mm
Detalii produs
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 300,00
€ 0,10 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 363,00
€ 0,121 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 300,00
€ 0,10 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 363,00
€ 0,121 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
20mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Gate Source Voltage
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
30 Ω
Timp montare
Surface Mount
Tip pachet
SOT-23
Numar pini
3
Drain Gate On-Capacitance
28pF
Source Gate On-Capacitance
28pF
Dimensiuni
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Inaltime
1.04mm
Latime
1.3mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.9mm
Detalii produs
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse