onsemi MMBF4393LG N-Channel JFET, 30 V, Idss 5 to 30mA, 3-Pin SOT-23
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
5 to 30mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
30V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
100 Ω
Montare
Surface Mount
Tip pachet
SOT-23
Numar pini
3
Drain Gate On-Capacitance
14pF
Source Gate On-Capacitance
14pF
Dimensiuni
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Inaltime
1.01mm
Latime
1.4mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3.04mm
Detalii produs
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,16
Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 0,19
Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
50
€ 0,16
Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 0,19
Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
50
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,16 | € 8,00 |
| 100 - 200 | € 0,09 | € 4,50 |
| 250 - 450 | € 0,08 | € 4,00 |
| 500 - 950 | € 0,08 | € 4,00 |
| 1000+ | € 0,07 | € 3,50 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
5 to 30mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
30V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
100 Ω
Montare
Surface Mount
Tip pachet
SOT-23
Numar pini
3
Drain Gate On-Capacitance
14pF
Source Gate On-Capacitance
14pF
Dimensiuni
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Inaltime
1.01mm
Latime
1.4mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3.04mm
Detalii produs
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse