onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)

Nr. stoc RS: 790-5315Producator: onsemiCod de producator: MJD112-1G
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare Darlington

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Transistor Type

NPN

Maximum Continuous Collector Current

2 A

Maximum Collector Emitter Voltage

100 V

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Tip pachet

IPAK (TO-251)

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Minimum DC Current Gain

1000

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

4 V

Maximum Collector Base Voltage

100 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

3 V

Maximum Collector Cut-off Current

20µA

Dimensiuni

6.73 x 2.38 x 6.35mm

Maximum Power Dissipation

20 W

Frecventa minima de auto-rezonanta

-65 °C

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

6.73mm

Inaltime

6.35mm

Latime

2.38mm

Detalii produs

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 0,90

Buc. (Intr-un pachet de 15) (fara TVA)

€ 1,071

Buc. (Intr-un pachet de 15) (cu TVA)

onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)
Selectati tipul de ambalaj

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 15.

Productie -

Disponibil in multiplu de 15.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

15

Disponibil in multiplu de 15
15€ 13,50
30€ 15,60
45€ 23,40
60€ 31,20
75€ 37,50
90€ 45,00
105€ 52,50
120€ 60,00
135€ 67,50
150€ 73,50
165€ 80,85
180€ 88,20
195€ 95,55
210€ 102,90
225€ 110,25

€ 0,90

Buc. (Intr-un pachet de 15) (fara TVA)

€ 1,071

Buc. (Intr-un pachet de 15) (cu TVA)

onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 15.

Productie -

Disponibil in multiplu de 15.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

15

Disponibil in multiplu de 15
15€ 13,50
30€ 15,60
45€ 23,40
60€ 31,20
75€ 37,50
90€ 45,00
105€ 52,50
120€ 60,00
135€ 67,50
150€ 73,50
165€ 80,85
180€ 88,20
195€ 95,55
210€ 102,90
225€ 110,25

Cumpara in pachete mari

CantitatePret unitarPer Pachet
15 - 15€ 0,90€ 13,50
30 - 60€ 0,52€ 7,80
75 - 135€ 0,50€ 7,50
150 - 285€ 0,49€ 7,35
300+€ 0,47€ 7,05

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Transistor Type

NPN

Maximum Continuous Collector Current

2 A

Maximum Collector Emitter Voltage

100 V

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Tip pachet

IPAK (TO-251)

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Minimum DC Current Gain

1000

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

4 V

Maximum Collector Base Voltage

100 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

3 V

Maximum Collector Cut-off Current

20µA

Dimensiuni

6.73 x 2.38 x 6.35mm

Maximum Power Dissipation

20 W

Frecventa minima de auto-rezonanta

-65 °C

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

6.73mm

Inaltime

6.35mm

Latime

2.38mm

Detalii produs

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe