onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)

Nr. stoc RS: 790-5315Producator: onsemiCod de producator: MJD112-1G
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Transistor Type

NPN

Maximum Continuous Collector Current

2 A

Maximum Collector Emitter Voltage

100 V

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Tip pachet

IPAK (TO-251)

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Minimum DC Current Gain

1000

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

4 V

Maximum Collector Base Voltage

100 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

3 V

Maximum Collector Cut-off Current

20µA

Dimensiuni

6.73 x 2.38 x 6.35mm

Maximum Power Dissipation

20 W

Temperatura minima de lucru

-65 °C

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

6.73mm

Inaltime

6.35mm

Latime

2.38mm

Detalii produs

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 24,30

€ 1,62 Buc. (Intr-un pachet de 15) (fara TVA)

€ 29,40

€ 1,96 Buc. (Intr-un pachet de 15) (cu TVA)

onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)
Selectati tipul de ambalaj

€ 24,30

€ 1,62 Buc. (Intr-un pachet de 15) (fara TVA)

€ 29,40

€ 1,96 Buc. (Intr-un pachet de 15) (cu TVA)

onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Transistor Type

NPN

Maximum Continuous Collector Current

2 A

Maximum Collector Emitter Voltage

100 V

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Tip pachet

IPAK (TO-251)

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Minimum DC Current Gain

1000

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

4 V

Maximum Collector Base Voltage

100 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

3 V

Maximum Collector Cut-off Current

20µA

Dimensiuni

6.73 x 2.38 x 6.35mm

Maximum Power Dissipation

20 W

Temperatura minima de lucru

-65 °C

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

6.73mm

Inaltime

6.35mm

Latime

2.38mm

Detalii produs

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe