onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
2 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Tip pachet
IPAK (TO-251)
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Maximum Collector Cut-off Current
20µA
Inaltime
6.35mm
Latime
2.38mm
Maximum Power Dissipation
20 W
Temperatura minima de lucru
-65 °C
Dimensiuni
6.73 x 2.38 x 6.35mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.73mm
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,54
Each (In a Tube of 75) (fara TVA)
€ 0,643
Each (In a Tube of 75) (cu TVA)
75
€ 0,54
Each (In a Tube of 75) (fara TVA)
€ 0,643
Each (In a Tube of 75) (cu TVA)
75
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 75 - 75 | € 0,54 | € 40,50 |
| 150 - 300 | € 0,49 | € 36,75 |
| 375+ | € 0,47 | € 35,25 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
2 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Tip pachet
IPAK (TO-251)
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Maximum Collector Cut-off Current
20µA
Inaltime
6.35mm
Latime
2.38mm
Maximum Power Dissipation
20 W
Temperatura minima de lucru
-65 °C
Dimensiuni
6.73 x 2.38 x 6.35mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.73mm
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse