onsemi MJ11032G NPN Darlington Transistor, 50 A 120 V HFE:400, 2-Pin TO-204
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
120 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Tip pachet
TO-204
Timp montare
Through Hole
Numar pini
2
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
400
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3.5 V
Inaltime
8.51mm
Latime
26.67mm
Dimensiuni
38.86 x 26.67 x 8.51mm
Maximum Power Dissipation
300 W
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+200 °C
Lungime
38.86mm
Detalii produs
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 14,18
Buc. (fara TVA)
€ 16,87
Buc. (cu TVA)
1
€ 14,18
Buc. (fara TVA)
€ 16,87
Buc. (cu TVA)
1
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 9 | € 14,18 |
| 10 - 99 | € 11,05 |
| 100 - 199 | € 10,27 |
| 200 - 499 | € 9,86 |
| 500+ | € 9,16 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
120 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Tip pachet
TO-204
Timp montare
Through Hole
Numar pini
2
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
400
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3.5 V
Inaltime
8.51mm
Latime
26.67mm
Dimensiuni
38.86 x 26.67 x 8.51mm
Maximum Power Dissipation
300 W
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+200 °C
Lungime
38.86mm
Detalii produs
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse