Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
750 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
130 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.04mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Inaltime
1.01mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 6,60
€ 0,33 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 7,99
€ 0,399 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
20
€ 6,60
€ 0,33 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 7,99
€ 0,399 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
20
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
750 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
130 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.04mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Inaltime
1.01mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs


