onsemi KSC5027OTU NPN Transistor, 3 A, 800 V, 3-Pin TO-220
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Collector Emitter Voltage
800 V
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Maximum Power Dissipation
50 W
Minimum DC Current Gain
20
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
1100 V
Maximum Emitter Base Voltage
7 V
Maximum Operating Frequency
1 MHz
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensiuni
9.9 x 4.5 x 18.95mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Detalii produs
High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 16,00
€ 1,60 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 19,36
€ 1,936 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 16,00
€ 1,60 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 19,36
€ 1,936 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Collector Emitter Voltage
800 V
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Maximum Power Dissipation
50 W
Minimum DC Current Gain
20
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
1100 V
Maximum Emitter Base Voltage
7 V
Maximum Operating Frequency
1 MHz
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensiuni
9.9 x 4.5 x 18.95mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Detalii produs
High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse