onsemi J109 N-Channel JFET, Idss min. 40mA, 3-Pin TO-92
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 40mA
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
12 Ω
Timp montare
Through Hole
Tip pachet
TO-92
Numar pini
3
Drain Gate On-Capacitance
85pF
Source Gate On-Capacitance
85pF
Dimensiuni
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Inaltime
4.58mm
Latime
3.86mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
4.58mm
Detalii produs
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 200,00
€ 0,20 Buc. (Intr-o punga de 1000) (fara TVA)
€ 242,00
€ 0,242 Buc. (Intr-o punga de 1000) (cu TVA)
1000
€ 200,00
€ 0,20 Buc. (Intr-o punga de 1000) (fara TVA)
€ 242,00
€ 0,242 Buc. (Intr-o punga de 1000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
1000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 40mA
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
12 Ω
Timp montare
Through Hole
Tip pachet
TO-92
Numar pini
3
Drain Gate On-Capacitance
85pF
Source Gate On-Capacitance
85pF
Dimensiuni
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Inaltime
4.58mm
Latime
3.86mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
4.58mm
Detalii produs
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse