onsemi ISL9V2040D3ST IGBT, 10 A 450 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiMaximum Continuous Collector Current
10 A
Maximum Collector Emitter Voltage
450 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±14V
Maximum Power Dissipation
130 W
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Channel Type
N
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Detalii produs
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 11,75
€ 2,35 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 14,22
€ 2,844 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 11,75
€ 2,35 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 14,22
€ 2,844 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 2,35 | € 11,75 |
| 10 - 95 | € 2,27 | € 11,35 |
| 100 - 245 | € 2,19 | € 10,95 |
| 250 - 495 | € 2,11 | € 10,55 |
| 500+ | € 2,05 | € 10,25 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiMaximum Continuous Collector Current
10 A
Maximum Collector Emitter Voltage
450 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±14V
Maximum Power Dissipation
130 W
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Channel Type
N
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Detalii produs
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse