P-Channel MOSFET, 47 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB onsemi FQP47P06

Nr. stoc RS: 124-1758Producator: onsemiCod de producator: FQP47P06
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

47 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Dimensiune celula

QFET

Tip pachet

TO-220AB

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

26 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

160 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Latime

4.7mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Transistor Material

Si

Lungime

10.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

84 nC @ 10 V

Inaltime

9.4mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 2,27

Each (In a Tube of 50) (fara TVA)

€ 2,701

Each (In a Tube of 50) (cu TVA)

P-Channel MOSFET, 47 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB onsemi FQP47P06

€ 2,27

Each (In a Tube of 50) (fara TVA)

€ 2,701

Each (In a Tube of 50) (cu TVA)

P-Channel MOSFET, 47 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB onsemi FQP47P06
Informatii indisponibile despre stoc

Cumpara in pachete mari

CantitatePret unitarPer Tub
50 - 200€ 2,27€ 113,50
250 - 450€ 2,13€ 106,50
500+€ 2,06€ 103,00

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

47 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Dimensiune celula

QFET

Tip pachet

TO-220AB

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

26 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

160 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Latime

4.7mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Transistor Material

Si

Lungime

10.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

84 nC @ 10 V

Inaltime

9.4mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe