onsemi FJA13009TU NPN Transistor, 12 A, 400 V, 3-Pin TO-3P
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
400 V
Tip pachet
TO-3P
Timp montare
Through Hole
Maximum Power Dissipation
130 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
700 V
Maximum Emitter Base Voltage
9 V
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensiuni
15.8 x 5 x 20.1mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Detalii produs
High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 1,47
Each (In a Tube of 30) (fara TVA)
€ 1,749
Each (In a Tube of 30) (cu TVA)
30
€ 1,47
Each (In a Tube of 30) (fara TVA)
€ 1,749
Each (In a Tube of 30) (cu TVA)
30
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
400 V
Tip pachet
TO-3P
Timp montare
Through Hole
Maximum Power Dissipation
130 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
700 V
Maximum Emitter Base Voltage
9 V
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensiuni
15.8 x 5 x 20.1mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Detalii produs
High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse