onsemi FGH75T65SHDTLN4, P-Channel IGBT, 150 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole

Nr. stoc RS: 181-1867Producator: onsemiCod de producator: FGH75T65SHDTLN4
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare IGBT

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

150 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

455 W

Number of Transistors

1

Tip pachet

TO-247

Timp montare

Through Hole

Channel Type

P

Numar pini

4

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensiuni

15.8 x 5.2 x 22.74mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Gate Capacitance

3710pF

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Energy Rating

160mJ

Tara de origine

China

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

onsemi FGH75T65SHDTLN4, P-Channel IGBT, 150 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole

450

Disponibil in multiplu de 450
450P.O.A.
900P.O.A.
1350P.O.A.
1800P.O.A.
2250P.O.A.
2700P.O.A.
3150P.O.A.
3600P.O.A.
4050P.O.A.
4500P.O.A.
4950P.O.A.
5400P.O.A.
5850P.O.A.
6300P.O.A.
6750P.O.A.

P.O.A.

onsemi FGH75T65SHDTLN4, P-Channel IGBT, 150 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole
Informatii indisponibile despre stoc

450

Disponibil in multiplu de 450
450P.O.A.
900P.O.A.
1350P.O.A.
1800P.O.A.
2250P.O.A.
2700P.O.A.
3150P.O.A.
3600P.O.A.
4050P.O.A.
4500P.O.A.
4950P.O.A.
5400P.O.A.
5850P.O.A.
6300P.O.A.
6750P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

150 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

455 W

Number of Transistors

1

Tip pachet

TO-247

Timp montare

Through Hole

Channel Type

P

Numar pini

4

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensiuni

15.8 x 5.2 x 22.74mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Gate Capacitance

3710pF

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Energy Rating

160mJ

Tara de origine

China

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe