onsemi FGD3040G2-F085 IGBT, 41 A 300 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiMaximum Continuous Collector Current
41 A
Maximum Collector Emitter Voltage
300 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±10V
Maximum Power Dissipation
150 W
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Channel Type
N
Numar pini
3
Switching Speed
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Detalii produs
Automotive Ignition IGBT, Fairchild Semiconductor
These EcoSPARK IGBT devices are optimised for driving automotive ignition coils. They have been stress tested and meet the AEC-Q101 standard.
Standards
AEC-Q101
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 2.550,00
€ 1,02 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 3.034,50
€ 1,214 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
€ 2.550,00
€ 1,02 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 3.034,50
€ 1,214 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiMaximum Continuous Collector Current
41 A
Maximum Collector Emitter Voltage
300 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±10V
Maximum Power Dissipation
150 W
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Channel Type
N
Numar pini
3
Switching Speed
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Detalii produs
Automotive Ignition IGBT, Fairchild Semiconductor
These EcoSPARK IGBT devices are optimised for driving automotive ignition coils. They have been stress tested and meet the AEC-Q101 standard.
Standards
AEC-Q101
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse