onsemi FGD3040G2-F085 IGBT, 41 A 300 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiMaximum Continuous Collector Current
41 A
Maximum Collector Emitter Voltage
300 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±10V
Maximum Power Dissipation
150 W
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Channel Type
N
Numar pini
3
Switching Speed
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Detalii produs
Automotive Ignition IGBT, Fairchild Semiconductor
These EcoSPARK IGBT devices are optimised for driving automotive ignition coils. They have been stress tested and meet the AEC-Q101 standard.
Standards
AEC-Q101
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 1.625,00
€ 0,65 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 1.966,25
€ 0,786 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
€ 1.625,00
€ 0,65 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 1.966,25
€ 0,786 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
2500
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiMaximum Continuous Collector Current
41 A
Maximum Collector Emitter Voltage
300 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±10V
Maximum Power Dissipation
150 W
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Channel Type
N
Numar pini
3
Switching Speed
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Detalii produs
Automotive Ignition IGBT, Fairchild Semiconductor
These EcoSPARK IGBT devices are optimised for driving automotive ignition coils. They have been stress tested and meet the AEC-Q101 standard.
Standards
AEC-Q101
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse