onsemi FGAF20N60SMD IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-3PF, Through Hole

Nr. stoc RS: 145-4382Producator: onsemiCod de producator: FGAF20N60SMD
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare IGBT

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

40 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

75 W

Tip pachet

TO-3PF

Montare

Through Hole

Channel Type

N

Numar pini

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensiuni

15.7 x 3.2 x 26.7mm

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

onsemi FGAF20N60SMD IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-3PF, Through Hole

30

Disponibil in multiplu de 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

P.O.A.

onsemi FGAF20N60SMD IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-3PF, Through Hole
Informatii indisponibile despre stoc

30

Disponibil in multiplu de 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

40 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

75 W

Tip pachet

TO-3PF

Montare

Through Hole

Channel Type

N

Numar pini

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensiuni

15.7 x 3.2 x 26.7mm

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe