N-Channel MOSFET, 76 A, 100 V, 3-Pin TO-220F onsemi FDPF8D5N10C

Nr. stoc RS: 181-1863Producator: onsemiCod de producator: FDPF8D5N10C
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

76 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

TO-220F

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

8.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

35 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Latime

4.9mm

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.36mm

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Inaltime

16.07mm

Forward Diode Voltage

1.3V

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

China

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 76 A, 100 V, 3-Pin TO-220F onsemi FDPF8D5N10C

1000

Disponibil in multiplu de 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 76 A, 100 V, 3-Pin TO-220F onsemi FDPF8D5N10C
Informatii indisponibile despre stoc

1000

Disponibil in multiplu de 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

76 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

TO-220F

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

8.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

35 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Latime

4.9mm

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.36mm

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Inaltime

16.07mm

Forward Diode Voltage

1.3V

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

China

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe