N-Channel MOSFET, 128 A, 100 V, 3-Pin TO-220F onsemi FDPF4D5N10C

Nr. stoc RS: 181-1917Producator: onsemiCod de producator: FDPF4D5N10C
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

128 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

TO-220F

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

4.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

37.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Latime

4.9mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.36mm

Typical Gate Charge @ Vgs

48 nC @ 10 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Inaltime

16.07mm

Tara de origine

China

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 2,74

Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)

€ 3,261

Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 128 A, 100 V, 3-Pin TO-220F onsemi FDPF4D5N10C
Selectati tipul de ambalaj

€ 2,74

Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)

€ 3,261

Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 128 A, 100 V, 3-Pin TO-220F onsemi FDPF4D5N10C
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

128 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

TO-220F

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

4.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

37.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Latime

4.9mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.36mm

Typical Gate Charge @ Vgs

48 nC @ 10 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Inaltime

16.07mm

Tara de origine

China

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe