N-Channel MOSFET, 76 A, 100 V, 3-Pin TO-220 onsemi FDP8D5N10C
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
76 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
8.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
107 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Latime
4.67mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Inaltime
15.21mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Tara de origine
China
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 1,70
Each (In a Tube of 800) (fara TVA)
€ 2,023
Each (In a Tube of 800) (cu TVA)
800
€ 1,70
Each (In a Tube of 800) (fara TVA)
€ 2,023
Each (In a Tube of 800) (cu TVA)
800
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 800 - 800 | € 1,70 | € 1.360,00 |
| 1600 - 2400 | € 1,42 | € 1.136,00 |
| 3200 - 4800 | € 1,36 | € 1.088,00 |
| 5600+ | € 1,29 | € 1.032,00 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
76 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
8.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
107 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Latime
4.67mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Inaltime
15.21mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Tara de origine
China
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse