N-Channel MOSFET, 22 A, 80 V, 8-Pin PQFN8 onsemi FDMC007N08LCDC
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Tip pachet
PQFN8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
6.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
57 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
31 nC @ 10 V
Latime
3.4mm
Number of Elements per Chip
1
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Inaltime
0.75mm
Tara de origine
Philippines
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 1,63
Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 1,94
Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 1,63
Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 1,94
Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Tip pachet
PQFN8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
6.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
57 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
31 nC @ 10 V
Latime
3.4mm
Number of Elements per Chip
1
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Inaltime
0.75mm
Tara de origine
Philippines
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse