P-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 3-Pin DPAK onsemi FDD9507L-F085

Nr. stoc RS: 178-4233Producator: onsemiCod de producator: FDD9507L-F085
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

4.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

227 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±16 V

Latime

6.22mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

100 nC @ 10 V

Inaltime

2.39mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Tara de origine

Philippines

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 3-Pin DPAK onsemi FDD9507L-F085

2500

Disponibil in multiplu de 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
37500P.O.A.

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 3-Pin DPAK onsemi FDD9507L-F085
Informatii indisponibile despre stoc

2500

Disponibil in multiplu de 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
37500P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

4.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

227 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±16 V

Latime

6.22mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

100 nC @ 10 V

Inaltime

2.39mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Tara de origine

Philippines

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe