onsemi CPH6904-TL-E, Dual N-Channel JFET, 25 V, Idss 20 to 40mA, 6-Pin CPH
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
20 to 40mA
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Common Source
Configuration
Dual
Timp montare
Surface Mount
Tip pachet
CPH
Numar pini
6
Drain Gate On-Capacitance
6pF
Source Gate On-Capacitance
2.3pF
Dimensiuni
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Inaltime
0.9mm
Latime
1.6mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.9mm
Tara de origine
China
Detalii produs
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 780,00
€ 0,26 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 943,80
€ 0,315 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 780,00
€ 0,26 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 943,80
€ 0,315 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
20 to 40mA
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Common Source
Configuration
Dual
Timp montare
Surface Mount
Tip pachet
CPH
Numar pini
6
Drain Gate On-Capacitance
6pF
Source Gate On-Capacitance
2.3pF
Dimensiuni
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Inaltime
0.9mm
Latime
1.6mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.9mm
Tara de origine
China
Detalii produs
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse