P-Channel MOSFET, 3 A, 12 V, 3-Pin CPH3 onsemi CPH3348-TL-W

Nr. stoc RS: 920-9773Producator: onsemiCod de producator: CPH3348-TL-W
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Maximum Drain Source Voltage

12 V

Tip pachet

CPH3

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

215 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

5.6 nC @ 4.5 V

Latime

1.6mm

Transistor Material

Si

Forward Diode Voltage

1.2V

Inaltime

0.9mm

Detalii produs

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

P-Channel MOSFET, 3 A, 12 V, 3-Pin CPH3 onsemi CPH3348-TL-W
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

P-Channel MOSFET, 3 A, 12 V, 3-Pin CPH3 onsemi CPH3348-TL-W

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Maximum Drain Source Voltage

12 V

Tip pachet

CPH3

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

215 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

5.6 nC @ 4.5 V

Latime

1.6mm

Transistor Material

Si

Forward Diode Voltage

1.2V

Inaltime

0.9mm

Detalii produs

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe