onsemi BD239CTU NPN Transistor, 2 A, 115 V, 3-Pin TO-220
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
2 A
Maximum Collector Emitter Voltage
115 V
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Maximum Power Dissipation
30 W
Minimum DC Current Gain
40
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Dimensiuni
9.9 x 4.5 x 15.7mm
Detalii produs
Power NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 26,00
€ 1,04 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 31,46
€ 1,258 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
25
€ 26,00
€ 1,04 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 31,46
€ 1,258 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Tub)
25
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
2 A
Maximum Collector Emitter Voltage
115 V
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Maximum Power Dissipation
30 W
Minimum DC Current Gain
40
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Dimensiuni
9.9 x 4.5 x 15.7mm
Detalii produs
Power NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse