N-Channel MOSFET, 340 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 onsemi 2V7002WT1G

Nr. stoc RS: 162-9286Producator: onsemiCod de producator: 2V7002WT1G
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

340 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SOT-323

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

330 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

0.7 nC @ 4.5 V

Latime

1.35mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Lungime

2.2mm

Inaltime

0.9mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 340 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 onsemi 2V7002WT1G

3000

Disponibil in multiplu de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 340 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 onsemi 2V7002WT1G
Informatii indisponibile despre stoc

3000

Disponibil in multiplu de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

340 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SOT-323

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

330 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

0.7 nC @ 4.5 V

Latime

1.35mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Lungime

2.2mm

Inaltime

0.9mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe