onsemi 2SK932-23-TB-E N-Channel JFET, 15 V, Idss 10 to 17mA, 3-Pin CP
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
10 to 17mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Timp montare
Surface Mount
Tip pachet
CP
Numar pini
3
Drain Gate On-Capacitance
10pF
Source Gate On-Capacitance
3pF
Dimensiuni
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.9mm
Inaltime
1.1mm
Latime
1.5mm
Tara de origine
China
Detalii produs
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 34,00
€ 0,34 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 40,46
€ 0,405 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
100
€ 34,00
€ 0,34 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 40,46
€ 0,405 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
100
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 100 - 225 | € 0,34 | € 8,50 |
| 250 - 475 | € 0,29 | € 7,25 |
| 500 - 975 | € 0,25 | € 6,25 |
| 1000+ | € 0,23 | € 5,75 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
10 to 17mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Timp montare
Surface Mount
Tip pachet
CP
Numar pini
3
Drain Gate On-Capacitance
10pF
Source Gate On-Capacitance
3pF
Dimensiuni
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.9mm
Inaltime
1.1mm
Latime
1.5mm
Tara de origine
China
Detalii produs
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse