onsemi 2SK932-22-TB-E N-Channel JFET, 15 V, Idss 7.3 to 12mA, 3-Pin CP

Nr. stoc RS: 163-2023Producator: onsemiCod de producator: 2SK932-22-TB-E
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare JFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

7.3 to 12mA

Maximum Drain Source Voltage

15 V

Maximum Drain Gate Voltage

-15V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Timp montare

Surface Mount

Tip pachet

CP

Numar pini

3

Drain Gate On-Capacitance

10pF

Source Gate On-Capacitance

3pF

Dimensiuni

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Inaltime

1.1mm

Latime

1.5mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

2.9mm

Tara de origine

China

Detalii produs

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

onsemi 2SK932-22-TB-E N-Channel JFET, 15 V, Idss 7.3 to 12mA, 3-Pin CP

3000

Disponibil in multiplu de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

onsemi 2SK932-22-TB-E N-Channel JFET, 15 V, Idss 7.3 to 12mA, 3-Pin CP
Informatii indisponibile despre stoc

3000

Disponibil in multiplu de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

7.3 to 12mA

Maximum Drain Source Voltage

15 V

Maximum Drain Gate Voltage

-15V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Timp montare

Surface Mount

Tip pachet

CP

Numar pini

3

Drain Gate On-Capacitance

10pF

Source Gate On-Capacitance

3pF

Dimensiuni

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Inaltime

1.1mm

Latime

1.5mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

2.9mm

Tara de origine

China

Detalii produs

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe