onsemi 2SK3557-6-TB-E N-Channel JFET, 15 V, Idss 10 to 20mA, 3-Pin CP

Nr. stoc RS: 792-5164Producator: onsemiCod de producator: 2SK3557-6-TB-E
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

10 to 20mA

Maximum Drain Source Voltage

15 V

Maximum Drain Gate Voltage

-15V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Timp montare

Surface Mount

Tip pachet

CP

Numar pini

3

Drain Gate On-Capacitance

10pF

Source Gate On-Capacitance

2.9pF

Dimensiuni

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

1.5mm

Lungime

2.9mm

Inaltime

1.1mm

Detalii produs

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 9,25

€ 0,37 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

€ 11,19

€ 0,448 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)

onsemi 2SK3557-6-TB-E N-Channel JFET, 15 V, Idss 10 to 20mA, 3-Pin CP

€ 9,25

€ 0,37 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

€ 11,19

€ 0,448 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)

onsemi 2SK3557-6-TB-E N-Channel JFET, 15 V, Idss 10 to 20mA, 3-Pin CP

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
25 - 75€ 0,37€ 9,25
100 - 225€ 0,32€ 8,00
250 - 475€ 0,27€ 6,75
500 - 975€ 0,24€ 6,00
1000+€ 0,21€ 5,25

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

10 to 20mA

Maximum Drain Source Voltage

15 V

Maximum Drain Gate Voltage

-15V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Timp montare

Surface Mount

Tip pachet

CP

Numar pini

3

Drain Gate On-Capacitance

10pF

Source Gate On-Capacitance

2.9pF

Dimensiuni

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

1.5mm

Lungime

2.9mm

Inaltime

1.1mm

Detalii produs

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe