N-Channel MOSFET, 270 mA, 30 V, 3-Pin SOT-323 onsemi NTS4001NG

Nr. stoc RS: 780-4764Producator: ON SemiconductorCod de producator: NTS4001NT1G
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

270 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOT-323 (SC-70)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

330 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.9 nC @ 5 V

Latime

1.35mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

0.9mm

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 270 mA, 30 V, 3-Pin SOT-323 onsemi NTS4001NG
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 270 mA, 30 V, 3-Pin SOT-323 onsemi NTS4001NG
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

270 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOT-323 (SC-70)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

330 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.9 nC @ 5 V

Latime

1.35mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

0.9mm

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe