N-Channel MOSFET, 58 A, 100 V, 3-Pin TO-220 onsemi NTP6412ANG

Nr. stoc RS: 719-2967Producator: ON SemiconductorCod de producator: NTP6412ANG
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

ON Semiconductor

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

58 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

TO-220

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

18.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

167 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

13.5 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.28mm

Latime

4.82mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

15.75mm

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 58 A, 100 V, 3-Pin TO-220 onsemi NTP6412ANG
Selectati tipul de ambalaj

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 2.

Productie -

Disponibil in multiplu de 2.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

2

Disponibil in multiplu de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 58 A, 100 V, 3-Pin TO-220 onsemi NTP6412ANG
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 2.

Productie -

Disponibil in multiplu de 2.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

2

Disponibil in multiplu de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

ON Semiconductor

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

58 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

TO-220

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

18.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

167 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

13.5 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.28mm

Latime

4.82mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

15.75mm

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe