N-Channel MOSFET, 235 A, 40 V, 4+Tab-Pin DFN onsemi NTMFS5C426NTG

Nr. stoc RS: 126-3473Producator: ON SemiconductorCod de producator: NTMFS5C426NT1G
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

ON Semiconductor

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

235 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Tip pachet

DFN

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

4+Tab

Maximum Drain Source Resistance

1.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

128 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

5.1mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

6.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

65 nC @ 10 V

Inaltime

1.05mm

Dimensiune celula

NTMFS5C426N

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 235 A, 40 V, 4+Tab-Pin DFN onsemi NTMFS5C426NTG

5

Disponibil in multiplu de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 235 A, 40 V, 4+Tab-Pin DFN onsemi NTMFS5C426NTG
Informatii indisponibile despre stoc

5

Disponibil in multiplu de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

ON Semiconductor

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

235 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Tip pachet

DFN

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

4+Tab

Maximum Drain Source Resistance

1.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

128 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

5.1mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

6.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

65 nC @ 10 V

Inaltime

1.05mm

Dimensiune celula

NTMFS5C426N

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe