onsemi NGTB40N120IHLWG IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ON SemiconductorMaximum Continuous Collector Current
80 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
260 W
Tip pachet
TO-247
Montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ON SemiconductorMaximum Continuous Collector Current
80 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
260 W
Tip pachet
TO-247
Montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse