N-Channel MOSFET, 2.4 A, 600 V, 3-Pin IPAK onsemi NDD02N60Z-1G

Nr. stoc RS: 719-2777Producator: ON SemiconductorCod de producator: NDD02N60Z-1G
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

ON Semiconductor

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.4 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Tip pachet

IPAK (TO-251)

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

4.8 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Maximum Power Dissipation

57 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

6.73mm

Latime

2.38mm

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

7.62mm

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 2.4 A, 600 V, 3-Pin IPAK onsemi NDD02N60Z-1G
Selectati tipul de ambalaj

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

5

Disponibil in multiplu de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 2.4 A, 600 V, 3-Pin IPAK onsemi NDD02N60Z-1G
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

5

Disponibil in multiplu de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

ON Semiconductor

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.4 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Tip pachet

IPAK (TO-251)

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

4.8 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Maximum Power Dissipation

57 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

6.73mm

Latime

2.38mm

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

7.62mm

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe