ON Semi MJD122G NPN Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:100, 3-Pin DPAK

Nr. stoc RS: 688-1509PProducator: ON SemiconductorCod de producator: MJD122G
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare Darlington

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Transistor Type

NPN

Maximum Continuous Collector Current

8 A

Maximum Collector Emitter Voltage

100 V

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Minimum DC Current Gain

100

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

4.5 V

Maximum Collector Base Voltage

100 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

4 V

Maximum Collector Cut-off Current

0.01mA

Temperatura minima de lucru

-65 °C

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

6.73mm

Inaltime

2.38mm

Latime

6.22mm

Dimensiuni

6.73 x 6.22 x 2.38mm

Detalii produs

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
onsemi MJD122G NPN Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:100, 3-Pin DPAK
onsemi MJD122G NPN Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:100, 3-Pin DPAKProducator: onsemi
€ 0,738Each (In a Tube of 75) (fara TVA)

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

ON Semi MJD122G NPN Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:100, 3-Pin DPAK
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Tub)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 2.

Productie -

Disponibil in multiplu de 2.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

2

Disponibil in multiplu de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

ON Semi MJD122G NPN Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:100, 3-Pin DPAK

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Tub)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 2.

Productie -

Disponibil in multiplu de 2.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

2

Disponibil in multiplu de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
onsemi MJD122G NPN Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:100, 3-Pin DPAK
onsemi MJD122G NPN Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:100, 3-Pin DPAKProducator: onsemi
€ 0,738Each (In a Tube of 75) (fara TVA)

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Transistor Type

NPN

Maximum Continuous Collector Current

8 A

Maximum Collector Emitter Voltage

100 V

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Minimum DC Current Gain

100

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

4.5 V

Maximum Collector Base Voltage

100 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

4 V

Maximum Collector Cut-off Current

0.01mA

Temperatura minima de lucru

-65 °C

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

6.73mm

Inaltime

2.38mm

Latime

6.22mm

Dimensiuni

6.73 x 6.22 x 2.38mm

Detalii produs

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
onsemi MJD122G NPN Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:100, 3-Pin DPAK
onsemi MJD122G NPN Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:100, 3-Pin DPAKProducator: onsemi
€ 0,738Each (In a Tube of 75) (fara TVA)