onsemi KSH127TF PNP Darlington Pair, -8 A 100 V HFE:100, 3-Pin DPAK
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ON SemiconductorTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
-8 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
-100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-2 V
Maximum Collector Cut-off Current
-10µA
Inaltime
2.3mm
Latime
6.8mm
Maximum Power Dissipation
20 W
Dimensiuni
6.6 x 6.8 x 2.3mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.6mm
Detalii produs
Darlington PNP Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
P.O.A.
2000
P.O.A.
2000
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ON SemiconductorTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
-8 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
-100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-2 V
Maximum Collector Cut-off Current
-10µA
Inaltime
2.3mm
Latime
6.8mm
Maximum Power Dissipation
20 W
Dimensiuni
6.6 x 6.8 x 2.3mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.6mm
Detalii produs
Darlington PNP Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse