ON Semiconductor, FJP2160DTU, Emmitter Switched, NPN Silicon Transistor 2 A 2.21V, 3-Pin TO-220

Nr. stoc RS: 864-8950Producator: ON SemiconductorCod de producator: FJP2160DTU
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

2 A

Tip pachet

TO-220

Montare

Through Hole

Maximum Power Dissipation

100 W

Minimum DC Current Gain

20

Numar pini

3

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Temperatura maxima de lucru

+125 °C

Dimensiuni

9.9 x 4.5 x 15.95mm

Detalii produs

ESBC™ Power Transistor, Fairchild Semiconductor

Bipolar NPN power transistors designed for use in ESBC™ (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) configurations together with appropriate power MOSFET devices. This power switch configuration provides increased efficiency, flexibility and robustness and driving power is minimized due to the absence of Miller capacitance in the design.

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

ON Semiconductor, FJP2160DTU, Emmitter Switched, NPN Silicon Transistor 2 A 2.21V, 3-Pin TO-220
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

ON Semiconductor, FJP2160DTU, Emmitter Switched, NPN Silicon Transistor 2 A 2.21V, 3-Pin TO-220
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

2 A

Tip pachet

TO-220

Montare

Through Hole

Maximum Power Dissipation

100 W

Minimum DC Current Gain

20

Numar pini

3

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Temperatura maxima de lucru

+125 °C

Dimensiuni

9.9 x 4.5 x 15.95mm

Detalii produs

ESBC™ Power Transistor, Fairchild Semiconductor

Bipolar NPN power transistors designed for use in ESBC™ (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) configurations together with appropriate power MOSFET devices. This power switch configuration provides increased efficiency, flexibility and robustness and driving power is minimized due to the absence of Miller capacitance in the design.

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe