Dual N-Channel MOSFET, 78 A, 100 V, 8-Pin PQFN onsemi FDMS86182

Nr. stoc RS: 146-4090Producator: ON SemiconductorCod de producator: FDMS86182
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

78 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

PQFN

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

7.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

83 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

26 @ 10 V nC

Latime

5.85mm

Number of Elements per Chip

2

Forward Diode Voltage

1.3V

Inaltime

1.05mm

Dimensiune celula

PowerTrench

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET, 78 A, 100 V, 8-Pin PQFN onsemi FDMS86182
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET, 78 A, 100 V, 8-Pin PQFN onsemi FDMS86182
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

78 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

PQFN

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

7.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

83 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

26 @ 10 V nC

Latime

5.85mm

Number of Elements per Chip

2

Forward Diode Voltage

1.3V

Inaltime

1.05mm

Dimensiune celula

PowerTrench

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe